[ad_1]


Những số liệu đo đạc mẫu SoC Snapdragon 845 trên thiết bị thử nghiệm của Qualcomm cho thấy hiệu năng của BXL này thực sự ‘khủng’, thậm chí còn hơn cả iPhone 8 trong một số hạng mục thử nghiệm.

Snapdragon 845 theo dự kiến sẽ sớm xuất hiện trên những siêu phẩm smartphone ra đời trong nửa đầu năm 2018 này. Tính đến thời điểm hiện tại, các đặc tả kỹ thuật chính của mẫu SoC hàng khủng Snapdragon 845 gần như đã rõ mồn một. Qualcomm Snapdragon 845 cũng được cho rằng sẽ “lực” hơn rất nhiều so với người tiền nhiệm Snapdragon 835. Mẫu SoC Snapdragon 845 cũng được đồn thổi sẽ xuất hiện đầu tiên trên chiếc Galaxy S9 dự kiến ra mắt vào cuối tháng 2 này.

Thiết bị thử nghiệm chạy BXL Qualcomm Snapdragon 845.

Theo cập nhật mới nhất, Qualcomm đã chính thức khoe những kết quả thử nghiệm hiệu năng đầu tiên của Snapdragon 845 trên chính thiết bị thử nghiệm của hãng cho thấy những giá trị đầy hấp dẫn. Cụ thể, Snapdragon 845 trong phép thử hiệu năng đơn nhân Geekbench 4 đạt 2.450 điểm. Trong phép thử hiệu năng tổng thể Antutu, Snapdragon 845 đạt điểm số khủng, đến 267.233 điểm. Qua những kết quả thử nghiệm hiệu năng được vẽ lại thành biểu đồ bên dưới, người dùng có thể hình dung sức mạnh của mẫu SoC Snapdragon 845 một cách rõ ràng hơn.

Theo giới quan sát, Qualcomm tuy không chiếm vị trí đầu bảng trong bởi hầu hết hạng mục thử nghiệm, nhưng điều này thực sự không có gì đáng ngạc nhiên. Những giá trị mà Qualcomm chia sẻ ở trên cũng đã cho thấy hiệu suất tính toán của mẫu SoC thế hệ mới cũng tăng tầm 25% trong khi hiệu suất đồ họa cũng tăng khoảng 30% như công bố từ phía nhà sản xuất. Điều đáng chú ý chính là mẫu Snapdragon 845 có khả năng tiết kiệm năng lượng hơn.

[ad_2]

Source link pcworld.com.vn

Đưa ra một phản hồi

Vui lòng nhập bình luận của bạn!
Vui lòng nhập tên của bạn ở đây